РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG1250H-XN2MM
MG1250H-XN2MM
7 005.18 грн.
10 или более 6 865.08 грн.
100 или более 6 654.92 грн.
1000 или более 6 304.66 грн.
100 или более 6 654.92 грн.
1000 или более 6 304.66 грн.
IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V H CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | H CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 260 Вт |
| Ток | |
| Ток | 50 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 80 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 6 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 75 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |