РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG1250H-XN2MM
MG1250H-XN2MM
7412.88 грн.
10 или более 7264.62 грн.
100 или более 7042.24 грн.
1000 или более 6671.59 грн.
100 или более 7042.24 грн.
1000 или более 6671.59 грн.
IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V H CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | H CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 260 Вт |
| Ток | |
| Ток | 50 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 80 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 6 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 75 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |