MG8Q6ES1

1163.33 грн.

10 або більше: 1140.07 грн.
100 або більше: 1105.17 грн.
1000 або більше: 1047.00 грн.
Виробник: Toshiba
Артикул: MG8Q6ES1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
Корпус
Корпус 45x107 мм
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 50 Вт
Струм
Струм 8 А (25°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт.
Основні
Кількість ключів 6
Напруга насичення (К-Е) 3 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 8 А (25°C)
Технологія GTR
Напруга 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969