MG8Q6ES1

1073.85 грн.

10 или более 1052.37 грн.
100 или более 1020.15 грн.
1000 или более 966.46 грн.
Производитель: Toshiba
Артикул: MG8Q6ES1
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
Корпус
Корпус 45x107 мм
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 50 Вт
Ток
Ток 8 А (25°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт.
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 3 В
Структура С диодом
Технология GTR
Ток (макс.) 8 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969