MII100-12A3

MII100-12A3

5314.74 грн.

10 або більше: 5207.26 грн.
100 або більше: 5047.85 грн.
1000 або більше: 4782.17 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: MII100-12A3
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS
Корпус
Корпус Y4-M5
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 560 Вт
Струм
Струм 90 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 6 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 6
Напруга насичення (К-Е) 2.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 135 А (25°C)
Технологія NPT
Напруга 1200 В
datasheet