MII100-12A3
MII100-12A3
5 314.74 грн.
10 или более 5 207.26 грн.
100 или более 5 047.85 грн.
1000 или более 4 782.17 грн.
100 или более 5 047.85 грн.
1000 или более 4 782.17 грн.
IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS
Корпус | |
Корпус | Y4-M5 |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 560 Вт |
Ток | |
Ток | 90 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 6 шт. (коробка) |
Основные | |
Количество ключей | 6 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | С диодом |
Технология | NPT |
Ток (макс.) | 135 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |