MII100-12A3

5574.52 грн.

10 или более 5461.78 грн.
100 или более 5294.58 грн.
1000 или более 5015.92 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MII100-12A3
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS
Корпус
Корпус Y4-M5
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 560 Вт
Ток
Ток 90 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 6 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 6
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология NPT
Ток (макс.) 135 А (25°C)
Напряжение 1200 В