MII150-12A4

MII150-12A4

11 655.04 грн.

10 або більше: 10 952.24 грн.
100 або більше: 10 616.97 грн.
1000 або більше: 10 058.19 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: MII150-12A4
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE DUAL 120A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Корпус
Корпус Y3-DCB
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 760 Вт
Струм
Струм 120 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 2 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 2
Напруга насичення (К-Е) 2.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 180 А (25°C)
Технологія SOA CAPABILITY
Напруга 1200 В
datasheet