MII150-12A4

MII150-12A4

11 655.04 грн.

10 или более 10 952.24 грн.
100 или более 10 616.97 грн.
1000 или более 10 058.19 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MII150-12A4
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE DUAL 120A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Корпус
Корпус Y3-DCB
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 760 Вт
Ток
Ток 120 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 2 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 2
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 180 А (25°C)
Напряжение 1200 В
datasheet