MII200-12A4

MII200-12A4

13532.59 грн.

10 або більше: 13267.91 грн.
100 або більше: 12861.74 грн.
1000 або більше: 12184.81 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: MII200-12A4
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Корпус
Корпус Y3-DCB
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 1130 Вт
Струм
Струм 180 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 2 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 2
Напруга насичення (К-Е) 2.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 270 А (25°C)
Технологія SOA CAPABILITY
Напруга 1200 В
datasheet