MII200-12A4

12472.78 грн.

10 или более 12150.08 грн.
100 или более 11778.14 грн.
1000 или более 11158.24 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MII200-12A4
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Корпус
Корпус Y3-DCB
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 1130 Вт
Ток
Ток 180 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 2 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 2
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 270 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969