MII200-12A4

MII200-12A4

12816.87 грн.

10 или более 12150.08 грн.
100 или более 11778.14 грн.
1000 или более 11158.24 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: MII200-12A4
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS

Корпус
Корпус	Y3-DCB
Монтаж
Монтаж	На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура	-40°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	1130 Вт
Ток
Ток	180 А (80°C)
Упаковка
Упаковка	2 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей	2
Напряжение насыщения (К-Э)	2.2 В
Структура	С диодом
Технология	SOA CAPABILITY
Ток (макс.)	270 А (25°C)
Напряжение	1200 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969