MII200-12A4

MII200-12A4
13 421.75 грн.
10 или более 13 267.91 грн.
100 или более 12 861.74 грн.
1000 или более 12 184.81 грн.
100 или более 12 861.74 грн.
1000 или более 12 184.81 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Корпус | |
Корпус | Y3-DCB |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 1130 Вт |
Ток | |
Ток | 180 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 2 шт. (коробка) |
Основные | |
Количество ключей | 2 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
Структура | С диодом |
Технология | SOA CAPABILITY |
Ток (макс.) | 270 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |