РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
MIXD80PM650TMI
MIXD80PM650TMI
1 598.94 грн.
10 або більше: 1 566.96 грн.
100 або більше: 1 518.99 грн.
1000 або більше: 1 439.05 грн.
100 або більше: 1 518.99 грн.
1000 або більше: 1 439.05 грн.
IGBT MOD.DIODE FOUR 60A 600V H BRIDGE E2PACK
| Корпус | |
| Корпус | EASY2B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасі |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -40°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 375 Вт |
| Струм | |
| Струм | 82 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 20 шт. |
| Основні | |
| Кількість ключів | 4 |
| Напруга насичення (К-Е) | 1.5 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 108 А (25°C) |
| Технологія | XPT |
| Напруга | 650 В |