MIXD80PM650TMI
MIXD80PM650TMI
1 598.94 грн.
10 или более 1 566.96 грн.
100 или более 1 518.99 грн.
1000 или более 1 439.05 грн.
100 или более 1 518.99 грн.
1000 или более 1 439.05 грн.
IGBT MOD.DIODE FOUR 60A 600V H BRIDGE E2PACK
Корпус | |
Корпус | EASY2B |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 375 Вт |
Ток | |
Ток | 82 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 20 шт. |
Основные | |
Количество ключей | 4 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 1.5 В |
Структура | С диодом |
Технология | XPT |
Ток (макс.) | 108 А (25°C) |
Напряжение | 650 В |