MIXD80PM650TMI

1464.23 грн.

10 или более 1434.94 грн.
100 или более 1391.02 грн.
1000 или более 1317.81 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: MIXD80PM650TMI
Доступно: Нет предложений
IGBT MOD.DIODE FOUR 60A 600V H BRIDGE E2PACK
Корпус
Корпус EASY2B
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 375 Вт
Ток
Ток 82 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 20 шт.
Основные
Количество ключей 4
Напряжение насыщения (К-Э) 1.5 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 108 А (25°C)
Напряжение 650 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969