Транзисторы Дарлингтона

Составные биполярные транзисторы, объединённые по схеме Дарлингтона, находят очень частое практическое применение в самых разных по назначению радиотехнических схемах/устройствах (причём и в виде дискретных компонентов, и как микросхем/сборок, объединяющих в одном своём корпусе сразу несколько раздельных пар) по нескольким причинам:

• гарантированный значительный коэффициент усиления по току - в транзисторной паре Дарлингтона общий коэффициент примерно соответствует произведению коэффициентов усиления от каждого из составляющих пару транзисторов, что в итоге для мощных пар даёт минимальное возможное значение не ниже пятисот-восьмисот, а для маломощных пар может доходить и до величины порядка пятидесяти тысяч;
• высокая выходная мощность - что обеспечивает транзисторам Дарлингтона применение в различных сильноточных схемах (выходы УМ, линейные стабилизаторы, ключи управления для мощной нагрузки различного типа);
• высокий входной импеданс - определяет возможность использования таких транзисторов в качестве входных активных элементов в разнообразных усилительных схемах;

Из основных недостатков включения транзисторов по схеме Дарлингтона следует упомянуть пониженное быстродействие/граничную частоту по сравнению с параметрами разделённых транзисторов из той же пары, а также типично вдвое большее суммарное падение напряжения (обычно порядка 1.2-1.4 вольта для распространённых кремниевых транзисторов).