Сортировать:
Показывать:

TIP122

Доступно: 2111
23.98 грн.
Низкочастотный n-p-n составной транзистор Дарлингтона. Применяется в источниках питания и в качестве..

ULN2003ADR

Доступно: 13
42.22 грн.
Микросхемы серии ULx200xA относятся к высоковольтным и сильноточным сборкам с использованием мощных ..

ULN2003AN

Доступно: 12
46.96 грн.
Cиловой драйвер из семи транзисторов Дарлингтона с общим питанием ULN2003AN принадлежит к обширному ..

ULN2001A

Доступно: 4
42.22 грн.
Микросхема ULN2001A является универсальным драйвером для управления широкой номенклатурой нагру..
Доступно: 2111
23.98 грн.
Доступно: 13
42.22 грн.
Доступно: 12
46.96 грн.
Доступно: 4
42.22 грн.
Показано с 1 по 4 из 4 (всего 1 страниц)

Составные биполярные транзисторы, объединённые по схеме Дарлингтона, находят очень частое практическое применение в самых разных по назначению радиотехнических схемах/устройствах (причём и в виде дискретных компонентов, и как микросхем/сборок, объединяющих в одном своём корпусе сразу несколько раздельных пар) по нескольким причинам:

  • гарантированный значительный коэффициент усиления по току - в транзисторной паре Дарлингтона общий коэффициент примерно соответствует произведению коэффициентов усиления от каждого из составляющих пару транзисторов, что в итоге для мощных пар даёт минимальное возможное значение не ниже пятисот-восьмисот, а для маломощных пар может доходить и до величины порядка пятидесяти тысяч;
  • высокая выходная мощность - что обеспечивает транзисторам Дарлингтона применение в различных сильноточных схемах (выходы УМ, линейные стабилизаторы, ключи управления для мощной нагрузки различного типа);
  • высокий входной импеданс - определяет возможность использования таких транзисторов в качестве входных активных элементов в разнообразных усилительных схемах;

Из основных недостатков включения транзисторов по схеме Дарлингтона следует упомянуть пониженное быстродействие/граничную частоту по сравнению с параметрами разделённых транзисторов из той же пары, а также типично вдвое большее суммарное падение напряжения (обычно порядка 1.2-1.4 вольта для распространённых кремниевых транзисторов).