BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

64.13 грн.

10 или более 87.45 грн.
100 или более 84.77 грн.
1000 или более 80.31 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: BSP149H6327XTSA1
Доступно: 1034

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.660mA 200V N-CH SOT223 SMT
Корпус
Корпус SOT-223
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 660 мА
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 42 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.8 Вт
Сопротивление откр. канала 1 Ом
Структура N-канал
Технология SIPMOS
Напряжение 200 В
datasheet