BSS84

Полевой транзистор BSS84 производства Nexperia (бывшая NXP Standard Product) представляет из себя изделие с каналом P-типа, изготовленное по фирменной технологии DMOS (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) в корпусе типа SOT23/TO-236AB, рассчитанном на поверхностный монтаж.

Данный MOSFET отличает возможность прямого управления затвором от CMOS/TTL-выходов цифровых микросхем, высокая скорость переключения.

МОП-транзистор рекомендуется для применения в устройствах телефонии, управления нагрузкой типа реле и т.д.

Рабочие характеристики BSS84:

• Сопротивление канала транзистора в открытом состоянии - не выше 10 Ом;
• Допустимое напряжение исток-сток составляет −50 В;
• Допустимое напряжение исток-затвор составляет ±20 В;
• Номинальный заявленный ток стока (при 25°C и приложенном напряжении затвор-исток −10 В) составляет −130 мА;
• Пиковый ток стока (длина импульса не более 10 мкс) составляет −520 мА;
• Максимальная заявленная рассеиваемая мощность изделия - 0.25 Вт;
• Температура хранения - от -65°C до +150°C.