BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2

483.78 грн.

10 или более 474.10 грн.
100 или более 459.59 грн.
1000 или более 435.40 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: BTS282ZE3180AATMA2
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.80A 49V N-CH TO263-7-1 ENHANCEMENT SMT
Корпус
Корпус TO-263-7 (D2PAK-7)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C~+175°C
Ток
Ток 80 А
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 105 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 8.2 мОм
Структура N-канал
Технология ENHANCEMENT
Напряжение 49 В
datasheet