FDB0165N807L

FDB0165N807L

164.04 грн.

10 или более 160.76 грн.
100 или более 155.84 грн.
1000 или более 147.63 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FDB0165N807L
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.310A 80V N-CH TO263
Корпус
Корпус TO-263-7 (D2PAK-7)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 310 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 85 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 3.8 Вт
Сопротивление откр. канала 1.6 мОм
Структура N-канал
Технология POWER TRENCH
Напряжение 80 В
datasheet