FQU1N60CTU

FQU1N60CTU

48.11 грн.

10 или более 47.57 грн.
100 или более 46.11 грн.
1000 или более 43.68 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FQU1N60CTU
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.1A 600V N-CH TO251(I-PAK) QFET THT
Корпус
Корпус TO-251 (I-PAK)
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 1 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 190 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.5 Вт
Сопротивление откр. канала 3.4 Ом
Структура N-канал
Технология QFET
Напряжение 600 В
datasheet