IXFA10N60P-TRL

IXFA10N60P-TRL

192.90 грн.

10 или более 189.04 грн.
100 или более 183.26 грн.
1000 или более 173.61 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA10N60P-TRL
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.10A 600V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 10 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 200 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 200 Вт
Сопротивление откр. канала 740 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 600 В
datasheet