IXFA10N80P

IXFA10N80P

250.69 грн.

10 или более 225.47 грн.
100 или более 218.56 грн.
1000 или более 207.06 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA10N80P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.10A 800V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 10 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 250 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 1.1 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 800 В
datasheet