IXFA12N50P

IXFA12N50P

218.02 грн.

10 или более 196.95 грн.
100 или более 190.92 грн.
1000 или более 180.87 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA12N50P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.12A 500V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 200 Вт
Сопротивление откр. канала 500 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 500 В
datasheet