IXFA12N65X2-TRL

IXFA12N65X2-TRL

197.52 грн.

10 или более 193.57 грн.
100 или более 187.65 грн.
1000 или более 177.77 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA12N65X2-TRL
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.12A 650V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 155 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 180 Вт
Сопротивление откр. канала 310 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 650 В
datasheet