IXFA6N120P

IXFA6N120P

545.66 грн.

10 или более 535.35 грн.
100 или более 518.96 грн.
1000 или более 491.65 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA6N120P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.6A 1200V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 6 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 250 Вт
Сопротивление откр. канала 2.4 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1200 В
datasheet