IXFA7N100P-TRL

IXFA7N100P-TRL

322.34 грн.

10 или более 315.89 грн.
100 или более 306.22 грн.
1000 или более 290.11 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA7N100P-TRL
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.7A 1000V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 7 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 1.9 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1000 В
datasheet