IXFK200N10P

1 020.15 грн.

10 или более 999.75 грн.
100 или более 969.15 грн.
1000 или более 918.14 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFK200N10P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.200A 100V N-CH TO264 HIPERFET
Корпус
Корпус TO-264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 200 А
Упаковка
Упаковка 25 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 150 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 830 Вт
Сопротивление откр. канала 7.5 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 100 В