IXFK32N100P

IXFK32N100P

1 596.19 грн.

10 или более 1 564.86 грн.
100 или более 1 516.96 грн.
1000 или более 1 437.12 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFK32N100P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.26A 1200V N-CH TO264 HIPERFET THT
Корпус
Корпус TO-264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 26 А
Упаковка
Упаковка 25 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 960 Вт
Сопротивление откр. канала 500 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1200 В
datasheet