IXFT16N120P

IXFT16N120P

1488.18 грн.

10 или более 1218.34 грн.
100 или более 1218.34 грн.
1000 или более 1218.34 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFT16N120P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.16A 1200V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET SM
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 16 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 660 Вт
Сопротивление откр. канала 950 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1200 В
datasheet