IXFT20N100P

IXFT20N100P

812.56 грн.

10 или более 790.84 грн.
100 или более 766.63 грн.
1000 или более 726.28 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXFT20N100P
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

MOSFET DIS.20A 1000V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET SM

Корпус
Корпус	TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж	SMT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C~+150°C
Ток
Ток	20 А
Упаковка
Упаковка	30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления	300 нс
Конфигурация	одиночний
Мощность	660 Вт
Сопротивление откр. канала	470 мОм
Структура	N-канал
Технология	HIPERFET
Напряжение	1000 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969