IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

394.04 грн.

10 или более 213.65 грн.
100 или более 175.21 грн.
1000 или более 137.51 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXTA1R6N100D2
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.1.6A 1000V N-CH TO263(D2PAK) DEPLETION
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 1.6 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 970 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 100 Вт
Сопротивление откр. канала 10 Ом
Структура N-канал
Технология DEPLETION
Напряжение 1000 В
datasheet