IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

582.56 грн.

10 или более 422.13 грн.
100 или более 312.72 грн.
1000 или более 312.72 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXTA3N100D2
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.3A 1000V N-CH TO263(D2PAK) DEPLETION SM
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 3 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 970 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 125 Вт
Сопротивление откр. канала 6 Ом
Структура N-канал
Технология DEPLETION
Напряжение 1000 В
datasheet