PJD4NA65H_L2_00001
PJD4NA65H_L2_00001
19.94 грн.
10 или более 19.54 грн.
100 или более 18.94 грн.
1000 или более 17.94 грн.
100 или более 18.94 грн.
1000 или более 17.94 грн.
MOSFET DIS.3A 650V N-CH TO252 (DPAK) SMT
Корпус | |
Корпус | TO-252 (DPAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 3 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 224 нс |
Конфигурация | одиночний |
Сопротивление откр. канала | 3.8 Ом |
Структура | N-канал |
Напряжение | 650 В |