SI2302DDS-T1-GE3

24.82 грн.

10 или более 17.98 грн.
100 или более 17.43 грн.
1000 или более 16.52 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI2302DDS-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 2.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 8.5 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 710 мВт
Сопротивление откр. канала 45 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969