SI7430DP-T1-GE3

174.15 грн.

10 или более 170.66 грн.
100 или более 165.44 грн.
1000 или более 156.73 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7430DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.26A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 26 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 63 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 64 Вт
Сопротивление откр. канала 36 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 150 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969