SI7430DP-T1-GE3
  
  	
  	       		
  			
			    			    			    
			    
			     
			     
			            
			       	        			       	        			       	        			       	        
			       	        
			       
			       			      
			      
			      
			     
			     
			     
			     			      
			      		    	
		    
    	
    	
    	    
  
  
    
    
    
    
            
        
  
  
  
            
    
    
 
 
 
 
 
							SI7430DP-T1-GE3
			       	        			       	        190.17 грн.
			       	        			              
			              
			              
			       	        	
			       	          			       	          10 или более 186.36 грн.
100 или более 180.66 грн.
1000 или более 171.15 грн.
			       	          			       	        
			       	        			              100 или более 180.66 грн.
1000 или более 171.15 грн.
MOSFET DIS.26A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
    | Корпус | |
| Корпус | PPAKSOIC-8 | 
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT | 
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C | 
| Ток | |
| Ток | 26 А | 
| Упаковка | |
| Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) | 
| Основные | |
| Время восстановления | 63 нс | 
| Конфигурация | одиночний | 
| Мощность | 64 Вт | 
| Сопротивление откр. канала | 36 мОм | 
| Структура | N-канал | 
| Технология | TRENCH FET | 
| Напряжение | 150 В | 
 РУС
                    РУС УКР
                    УКР







