SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
190.17 грн.
10 или более 186.36 грн.
100 или более 180.66 грн.
1000 или более 171.15 грн.
100 или более 180.66 грн.
1000 или более 171.15 грн.
MOSFET DIS.26A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 26 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основные | |
Время восстановления | 63 нс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 64 Вт |
Сопротивление откр. канала | 36 мОм |
Структура | N-канал |
Технология | TRENCH FET |
Напряжение | 150 В |