SI7430DP-T1-GE3

190.17 грн.

10 или более 186.36 грн.
100 или более 180.66 грн.
1000 или более 171.15 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7430DP-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.26A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 26 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 63 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 64 Вт
Сопротивление откр. канала 36 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 150 В