SIS434DN-T1-GE3

55.05 грн.

10 или более 54.39 грн.
100 или более 52.72 грн.
1000 или более 49.95 грн.
Производитель: Vishay Siliconix
Артикул: SIS434DN-T1-GE3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.35A 40V N-CH PPAK1212-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 30 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 52 Вт
Сопротивление откр. канала 6.3 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В