SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

62.67 грн.

10 або більше: 57.95 грн.
100 або більше: 56.18 грн.
1000 або більше: 53.22 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SI2319DS-T1-E3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.3.0A 40V P-CH SOT23-3
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 2.3 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 65 мОм
Потужність 750 мВт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 40 В
datasheet