SI2329DS-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3
32.95 грн.
10 або більше: 43.81 грн.
100 або більше: 42.47 грн.
1000 або більше: 40.23 грн.
100 або більше: 42.47 грн.
1000 або більше: 40.23 грн.
MOSFET DIS.6A 8V P-CH SOT23 SMT
Корпус | |
Корпус | SOT-23-3 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 6 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 25 мОм |
Потужність | 2.5 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 40 нс |
Напруга | 8 В |