SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

30.17 грн.

10 або більше: 40.12 грн.
100 або більше: 38.89 грн.
1000 або більше: 36.84 грн.
Виробник: Vishay Siliconix
Артикул: SI2329DS-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.6A 8V P-CH SOT23 SMT
Корпус
Корпус SOT-23-3
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 25 мОм
Потужність 2.5 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 40 нс
Напруга 8 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969