SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3
84.23 грн.
10 або більше: 55.45 грн.
100 або більше: 53.75 грн.
1000 або більше: 50.92 грн.
100 або більше: 53.75 грн.
1000 або більше: 50.92 грн.
MOSFET DIS.6.5A 60V 2N-CH SOIC8 SMT
Корпус | |
Корпус | SOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+175°C |
Струм | |
Струм | 6.5 А |
Упаковка | |
Упаковка | 2500 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 33 мОм |
Потужність | 3.7 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 25 нс |
Напруга | 60 В |