SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

250.00 грн.

10 або більше: 245.00 грн.
100 або більше: 237.50 грн.
1000 або більше: 225.00 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7430DP-T1-E3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.26A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 26 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 36 мОм
Потужність 64 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 63 нс
Напруга 150 В
datasheet