SI7434DP-T1-E3
SI7434DP-T1-E3
118.73 грн.
10 або більше: 116.36 грн.
100 або більше: 112.80 грн.
1000 або більше: 106.86 грн.
100 або більше: 112.80 грн.
1000 або більше: 106.86 грн.
MOSFET DIS.2.3A 250V N-CH SO-8 PPAK
Корпус | |
Корпус | PPAKSOIC-8 |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 2.3 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 129 мОм |
Потужність | 1.9 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Час відновлення | 100 нс |
Напруга | 250 В |