SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3

247.66 грн.

10 або більше: 160.42 грн.
100 або більше: 146.38 грн.
1000 або більше: 125.68 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7461DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.6A 60V P-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 11.5 мОм
Потужність 1.9 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 45 нс
Напруга 60 В
datasheet