SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3

155.90 грн.

10 або більше: 225.71 грн.
100 або більше: 218.80 грн.
1000 або більше: 207.28 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI7489DP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.28A 100V P-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 28 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 33 мОм
Потужність 83 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 60 нс
Напруга 100 В
datasheet