SI9435BDY-T1-GE3

SI9435BDY-T1-GE3

33.35 грн.

10 або більше: 32.69 грн.
100 або більше: 31.68 грн.
1000 або більше: 30.02 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SI9435BDY-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4.1A 30V P-CH SOIC8 TRENCH SMT
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 4.1 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 70 мОм
Потужність 1.3 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH
Час відновлення 60 нс
Напруга 30 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969