SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

14.33 грн.

10 або більше: 13.45 грн.
100 або більше: 13.03 грн.
1000 або більше: 12.35 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIA537EDJ-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4.5A 12V N/P-CH PPAK SC-70-6 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK SC70-6L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 4.5 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 23/44 мОм
Потужність 7.8 Вт
Структура N/P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 25/13 нс
Напруга 12/20 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969