SIR880ADP-T1-GE3

59.68 грн.

10 або більше: 56.10 грн.
100 або більше: 54.39 грн.
1000 або більше: 51.52 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIR880ADP-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.60A 80V N-CH PPAK SO-8
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 5.2 мОм
Потужність 83 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 46 нс
Напруга 80 В