SIS407ADN-T1-GE3

56.19 грн.

10 або більше: 55.07 грн.
100 або більше: 53.38 грн.
1000 або більше: 50.57 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIS407ADN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.18A 20V P-CH PPAK-8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -50°C~+150°C
Струм
Струм 18 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 7.3 мОм
Потужність 39.1 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 45 нс
Напруга 20 В