SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

31.01 грн.

10 або більше: 19.51 грн.
100 або більше: 18.91 грн.
1000 або більше: 17.92 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIS412DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.12A 30V N CHANNEL PPAK 1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 12 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 20 мОм
Потужність 15.6 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 30 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969