SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

33.86 грн.

10 або більше: 21.30 грн.
100 або більше: 20.65 грн.
1000 або більше: 19.56 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SIS412DN-T1-GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.12A 30V N CHANNEL PPAK 1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 12 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 20 мОм
Потужність 15.6 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 15 нс
Напруга 30 В
datasheet