SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

68.09 грн.

10 або більше: 66.73 грн.
100 або більше: 64.68 грн.
1000 або більше: 61.28 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SQJ457EP-T1_GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS. 60V P-CH POWERPAKSO-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK SO-8L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 36 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 21 мОм
Потужність 68 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 60 В
datasheet