SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

68.85 грн.

10 або більше: 67.48 грн.
100 або більше: 65.41 грн.
1000 або більше: 61.97 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SQJ963EP-T1_GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8A 60V 2 P-CH POWERPAK SO8
Корпус
Корпус PowerPAK SO-8L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 8 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 67 мОм
Потужність 27 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 60 В
datasheet