SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

37.61 грн.

10 або більше: 36.86 грн.
100 або більше: 35.73 грн.
1000 або більше: 33.85 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Артикул: SQJA82EP-T1_GE3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.60A 80V N-CH POWERPAKSO-8
Корпус
Корпус PowerPAK SO-8L
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 60 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 6.8 мОм
Потужність 68 Вт
Структура P-канал
Технологія TRENCH FET
Час відновлення 54 нс
Напруга 80 В
datasheet