SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3
115.05 грн.
10 або більше: 112.74 грн.
100 або більше: 109.29 грн.
1000 або більше: 103.54 грн.
100 або більше: 109.29 грн.
1000 або більше: 103.54 грн.
MOSFET DIS.30A 60V N-CH POWERPAKSO-8 SMT VISHAY
Корпус | |
Корпус | PowerPAK SO-8L |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+175°C |
Струм | |
Струм | 30 А |
Упаковка | |
Упаковка | 3000 шт. (TAPE&REEL) |
Основні | |
Конфігурація | подвійний |
Опір відкр. каналу | 10 мОм |
Потужність | 48 Вт |
Структура | P-канал |
Технологія | TRENCH FET |
Напруга | 60 В |